CTA、MRA、DSA诊断颅内动脉瘤的对比研究

目的比较CTA、MRA、DSA三种方法诊断动脉瘤的优缺点,探讨非侵入性CTA和MRA取代DSA的可行性。方法对收治的35例怀疑动脉瘤患者同时作CTA、MRA、DSA检查,比较其影像学结果。结果CTA基本上可以发现大多数的动脉瘤,为后续的手术或者栓塞提供足够的影像学信息;MRA对较小动脉瘤(直径≤10mm)的诊断仍然存在一定难度,容易漏诊。结论CTA可作为蛛网膜下腔出血以及可疑动脉瘤患者的初选检查方法,必要时再行DSA进行确诊。随着更多三维重建技术的推广,其敏感性和特异性会更加提高,在不久的将来CTA可能会成为动脉瘤术前检查的首选。     

改进的ReliefF在ICP特征选择中的应用

妊娠期肝内胆汁淤积症(ICP)是妊娠期严重危害母婴的并发症,原始的ICP数据集中含有大量的生物标志物信息,特征间通常会存在相关性,且不同妊娠结局间的人数差异较大.论文针对ICP数据集的高冗余和非平衡性,提出了一种新的特征选择算法—SC-ReliefF.SC-ReliefF算法在ReliefF的基础上,根据类内平均距离提出了新的样本选择方法,能很好地适应非平衡数据的特点;同时为了减少特征冗余,SC-ReliefF算法引入余弦相似度,将其作为特征冗余度的度量方式,提出一种去冗余方法,能够得到更小的特征子集.在医院提供的临床数据实验表明,SC-ReliefF算法与ReliefF、mRMR和RS-ReliefF相比得到的ICP特征子集规模较小,且在SVM和BP-NN上具有较好的分类效果,能够提升学习的效率.     

面向信息SNP选择的聚类算法

SNP数据在人类遗传病诊断与治疗中存在重要作用,但SNP原始数据存在大量冗余,因此需要选择出信息量大的SNP,完成SNP数据的降维.针对常用聚类算法应用到信息SNP选择时未考虑单个SNP与SNP子集之间相似度的问题,采用一种新的相似度度量方法,提出了一种改进的聚类算法K-MIGS,并将其应用到SNP选择中.K-MIGS算法解决了传统K-means不能挖掘出SNP位点与SNP子集之间的强相关性问题,并在医院提供的临床数据实验中表明,K-MIGS具有更高的非信息SNP子集重构度.最后使用支持向量机、决策树和神经网络对构造的SNP子集进行分类实验,对比K-means、特征加权K-means、ReliefF和MCMR,结果表明K-MIGS分类准确率和F1指标上提升了10％和15％,充分说明K-MIGS在信息SNP选择中具有更好的效果.     

基于传染病医院客服随访管理系统的研究与设计

传染性疾病,有呼吸道传播,血液传播.本项目主要是传染病医院客服随访管理系统,针对的是常见传染性疾病的患者,出院后的康复情况,以及医院满意度调查.本项目是以随访为中心,建立一套基于WEB的随访业务系统,建立集人工、网页的随访一体化.本项目实现了节省人力、物力资源,提高工作效率、管理水平和服务质量.     

路面基层裂缝原因分析及处理措施

沥青路面是目前高等级城市道路最常用的柔性路面，它和半刚性基层（水泥稳定碎石、二灰稳定碎石）一起，组成了我国高等级城市道路最常用的结构形式。本文阐述了半刚性基层沥青路面反射裂缝在我国的现况，并就其形成机理以及主要影响因素作了分析，提出了防治裂缝的相应措施。     

封装技术发展动态

本文介绍了近几年来一部分先进的封装技术,如 LLP、Flex BGA、M2CSP、Micro-SMD、FD-FBGA、FC-BGA、Tiny BGA、Ultra CSP 和 S-WLP 封装技术等,并讨论了封装技术的发展趋势。     

防火墙技术浅析

首先通过网络安全的案例,讲述了网络安全的重要性,进而引出防火墙的概念,然后进一步讲述了防火墙的分类及其优缺点,最后分析了防火墙中使用到的关键技术.     

量子效应器件正在崛起

本文介绍了量子效应器件的定义、分类、特点、工作原理、特性、制造方法和应用。还介绍了国内研制量子效应器件的动态和成果。     

基于数值仿真的套管装配机内部流场性能研究

为了优化套管装配机的可靠性,对装配机内流道中的气体运动特性进行了研究.根据套管装配机的工作原理,设计了两种不同的锥形喷嘴,然后运用UG软件建立了装配机内部流道的几何模型,最后将其导入Fluent软件对两种不同喷嘴流道中气流的三维模型进行了数值仿真.仿真结果表明,在喷嘴锥形角度、供气压力均相同的情况下,喷嘴出口倒角的设置使流道中气体外排速度提高了18.58％,套管内孔中的压力降低了40％,这对导线穿过套管的自动装配是极为不利的,此仿真结果为今后优化套管装配机性能提供了一定的理论依据.     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。